3D NAND 产能逐步释放,2020 年中国有望赶上国际:三星电子本周宣布,位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利,将如期于 2017 上半年投产。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】据三星表示,新芯片厂主要用于生产高容量3D NAND 闪存,新厂第一阶段施工目前已完成九成。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)由于2D NAND Flash 在技术推进上已遇发展瓶颈,上游原厂全力调拨产能转进3D NAND。东芝上个月宣布BiCS FLASH 3D闪存试样出货,SK 海力士于近日透露正在积极推进72 层3D NAND 技术的发展,美先第二代3D NAND 也于去年底顺利送样。一直以来,NAND闪存芯片被三星、东芝、SK 海力士、美先等少数公司垄断,中国公司在此领域话语权较弱。去年,紫先公司主导的长江存储科技公司投资240 亿美元建设12 寸晶圆厂,直接切入3D NAND 闪存市场。长江存储3D NAND晶圆厂的安装设备将在2018 年第一季度完工,2019 年全速量产,预计2020 年会在技术方面赶上国际领先的闪存公司。
高通骁龙835 亚洲首亮相,手机芯片市场竞争激烈:高通近日在北京举行了骁龙835 芯片的亚洲首场发布会。骁龙835 是高通首次采用10 纳米FinFET 工艺节点的产品,其体积更小,封装尺寸减少35%左右;功耗更低,降低了25%;而在能效方面更为出色,CPU 和GPU 性能提升25%至27%。值得注意的是,骁龙835 的命名由“处理器”变更为“平台”,集成了LTE、CPU、GPU、DSP 等技术和组件,支持千兆级LTE 网络,覆盖了笔记本电脑、智能手机、平板电脑、VR 等多重应用领域。除骁龙835 以外,2017 年先后还会有4 颗10 纳米制程的芯片问世,分别是联发科Helio X30、海思的Kirin 970、苹果用于iPad 的A10X、以及三星的Exynos 8895。此外,展讯去年推出的14 纳米八核64 位LTE 芯片平台SC9861G-IA,瞄准中端市场,小米也推出28nm 澎湃S1 芯片,主要针对入门级智能手机市场。根据Strategy Analytics 数据显示,高通2014 年市占率为52%,2016 上半年已降至39%。
上周电子板块表现回顾:本周大盘微幅上行,沪深300 指数上涨1.27%。
其中,申万电子指数上涨2.47%,跑赢沪深300 指数1.20 个百分点;中信电子元器件指数上涨2.81%,跑赢沪深300 指数1.54 个百分点。
投资组合表现:17 年年初以来投资组合累计投资盈利3.57%,跑输沪深300 指数1.85 个百分点,跑输申万电子元器件指数4.59 个百分点,跑输中信电子元器件指数5.85 个百分点。
风险提示:技术风险,行业竞争加剧风险,企业新业务开拓风险。