5G  基站射频集成度提高，价格有提升趋势：工信部6  月正式发布我国5G系统频率使用征求意见方案，规划将3.3GHz-3.6GHz、4.8GHz-5.0GHz，以及24.75GHz-27.5GHz、37GHz-42.5GHz  应用于5G，毫米波频段计划用于5G  超出市场预期。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】在5G  基站中，传统BBU  与RRU  分离模式逐渐演变为射频模块与天线的融合。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）混合波束赋形的架构预计会成为5G  基站天线射频系统的主流架构趋势，射频器件的使用数量大幅增加，为满足体积需求，射频系统集成度将会更高，整体价格有大幅提升趋势。
        毫米波天线射频设计制造壁垒高，需大量技术积累：毫米波阵列天线相较于低频段的阵列天线具备体积小型化、重量轻量化、宽带化、固态化和集成化等特点，另外用于民用移动通信还需考虑规模化量产和低成本等一系列问题，厂商需要大量技术积累，具体体现在平面天线设计和工艺要求高、大量器件需要芯片集成、传统PA  芯片半导体材料不适应高频、传统微波传输线不适应需求以及测量测试复杂等多种方面。我们估算在中性条件下，我国5G  毫米波频段基站射频系统的市场规模2019  年为24  亿元，2020年为72  亿元，2021  年达到120  亿元。
        毫米波频段射频器件主要技术工艺趋势：由于传统波导结构和微带线、带状线等微波传输媒介不满足体积、损耗、性能和集成度等方面的需求，基片集成波导（SIW）作为一种新型的导波结构有希望在5G  毫米波射频系统中广泛应用。MEMS  射频器件有望在5G  毫米波需求下快速增长，据YoleDevelopment  预计，RF  MEMS  市场2017  年-2022  年全球市场规模年复合增长率为35%，显著高于同期MEMS  市场的年复合8.9%的增速。化合物半导体包括氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）在5G  毫米波高频段射频系统中具备广阔的应用前景，2010  年全球GaN  射频器件市场规模仅6300万美元，2019  年5G  将推动行业快速增长，预计2020  年将达到约6.2  亿美元。毫米波射频开关等器件可选择铁氧体材料或者PIN  二极管来搭建，铁氧体开关在插损、功率容量和可靠性方面具有明显优势，已在雷达系统广泛应用，具备广泛应用于5G  毫米波器件的潜力。
        投资策略：建议关注雷达龙头国睿科技（600562），关注基站天线和射频器件制造商通宇通讯（002792）、武汉凡谷（002194）、盛路通信（002446）、中关通讯（000063），关注终端天线生产商信维通信（300136）和布局GaN  代工市场的三安光电（600703）。
        风险提示：5G  毫米波频段标准制定及研发进展不达预期；我国5G  毫米波频段商用进程不达预期；毫米波天线阵列和射频器件的技术路径、生产工艺方面发生重要变化；生产成本高企导致产品价格过高阻碍商用进程。